專利組合:獲證-US*3;KR*5; JP*1; 早期公開TW*1; US*3 共13件專利
流通方式:技轉/專屬授權/非專屬授權
應用領域:半導體製造封裝、面板製程、太陽能電池製程、紡織業、環保處理、醫療器具、奈米碳管長成、微機電的研發
技術/專利特性:
習知技術缺失:
介電材料厚度增厚、天線源長度增加、13.56MHz電源供應,成本高效率低,無法形成大面積電漿區,且不容易維修,維修時間長
本技術優勢:
- 處理大尺寸基材的過程中,提高電漿均勻性,且提供高密度的電漿。
- 透過反應室水平長度縮短供應射頻功率的通路,因而排除駐波效應。
- 天線模組和磁鐵模組被可拆解的組裝,易更換,易維修。
商業化程度:
已有原型機如下圖示。並有技轉成功導入實例
技術強度:
專利組合被引證(Forward 1)總量:40
引證本技術之專利權人:
- APPLIED; MATERIALS(應材);
- DONGBU HITEK(東部半導體) ;
- EMD CORP;
- KOREA ADVANCED INST SCI AND TECH(南韓高等科技大學)
- NEW POWER PLASMA CO ;
- NISSIN ELECTRIC CO(日新電機);
- SAMSUNG ELECTRONICS (三星電子);
- SEMES CO;
- TERASEMICON CORP(泰瑞半導體)
聯 絡 人:新聚能科技 02-27298434
時間:2010/10
投資公司:Semes
地位:南韓前3大半導體、顯示器設備廠
三星投資金額(美元):4,500萬
持股狀態:原合資夥伴大日本螢幕製造所有股份,從合資變獨資